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案例分析

一、建設(shè)項(xiàng)目與相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的相符性分析

“線寬以下大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)制造”列入《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005 年本)》中鼓勵(lì)類，是當(dāng)前國(guó)家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。2001年11月，國(guó)家發(fā)展計(jì)劃委 員會(huì)和科學(xué)技術(shù)部頒發(fā)的《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南》第17條規(guī)定， 近期產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)是：以加強(qiáng)集成電路設(shè)計(jì)為重點(diǎn)，積極支持集成電路設(shè)計(jì)和整機(jī)開(kāi)發(fā) 相結(jié)合，設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)市場(chǎng)需求較大的整機(jī)產(chǎn)品所需的各種專用集成電路和系統(tǒng)級(jí)芯片，線寬0.18 以下的深亞微米集成電路及配套的IP庫(kù)。擴(kuò)大集成電路生產(chǎn)加工和封裝能力， 提高工藝技術(shù)水平，擴(kuò)大產(chǎn)品品種和生產(chǎn)規(guī)模;積極鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)外有經(jīng)濟(jì)實(shí)力和技術(shù)實(shí)力的企業(yè)以及投資機(jī)構(gòu)在國(guó)內(nèi)建立國(guó)際先進(jìn)水平的集成電路芯片生產(chǎn)線，提高我國(guó)集成電路生產(chǎn)技術(shù)水平。

原國(guó)家經(jīng)濟(jì)貿(mào)易委員會(huì)、財(cái)政部、科學(xué)技術(shù)部、國(guó)家稅務(wù)總局《關(guān)于印發(fā)〈國(guó)家產(chǎn) 業(yè)技術(shù)政策〉的通知》(國(guó)經(jīng)貿(mào)技術(shù)[2002]444號(hào))的“四、重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向，(一)高新技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”中明確：要優(yōu)先發(fā)展深亞微米集成電路。

本項(xiàng)目產(chǎn)品方案為8英寸0.35 ~ 0.18 jLim芯片和12英寸0.13 ~ 0.09 )Lim芯片，屬深 亞微米集成電路，符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策要求。

二、項(xiàng)目分析

1. 工程分析的基本要求和要點(diǎn)

芯片生產(chǎn)的工藝復(fù)雜，約有數(shù)百道工序，使用50多種化學(xué)原料，其中包括20多種化 學(xué)危險(xiǎn)品。此類工程應(yīng)給出全廠生產(chǎn)總流程和標(biāo)示排污節(jié)點(diǎn)的工藝流程圖，并應(yīng)有原、輔料消耗表。案例中將生產(chǎn)工藝概況為硅片清洗、氧化、光刻、蝕刻、擴(kuò)散、離子植入、化 學(xué)氣相沉積、金屬化、后加工等九部分是適宜的。鑒于此類項(xiàng)目須用多種有毒有害化學(xué)品，工程分析應(yīng)作總物料衡算和主要污染因子，如氟、氯平衡。需要注意的是一些生產(chǎn)工藝會(huì)被重復(fù)多次，污染流程分析中應(yīng)按照具體工序分別統(tǒng)計(jì)污染源和“三廢”排放量。

2. 污染源和污染物

(1) 廢氣

芯片生產(chǎn)各工序涉及的有毒有害氣態(tài)污染化學(xué)物質(zhì)包括：

外延工序——SiH3、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、AsH3、B2H6、PH3、HC1、H2 清洗工序——H2S04、H202、HN03、HCK HF、h3po4、nh4f、nh4oh 光刻工序——異丙醇、醋酸丁酯、曱苯、ci2、bci3、c2f6、c3f8、cf4、sf6、hf、 HCK NO、C3H8、HBr、H2S

化學(xué)機(jī)械拋光——nh4oh、nh4ck koh,有機(jī)酸鹽

化學(xué)氣相沉積——SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCK HF、NH3

擴(kuò)散、離子注入——BF3、AsH3、PH3、H2、SiH4、SiH2Cl2、BBr3、BC13、B2H6 金屬化工序-——SiH4、BC13、A1C13、TiCl4、WF6、TiF4、SiF4、A1F3、BF3、SF6 對(duì)于酸堿廢氣(HF、HCK H2S04、HN03、H3P04、Cl2、NH3)采用濕式洗滌塔處理，凈化效率為95%。

對(duì)于特殊氣體(SiH4、PH3、AsH3)采用碳纖維加濕式洗滌塔處理，凈化效率為85% ~

90%。

對(duì)于有機(jī)廢氣(VOC)采用沸石濃縮轉(zhuǎn)輪燃燒法處理，凈化效率為95%。

(2) 水污染物

芯片生產(chǎn)排放的廢水及處理方法為：

含氟廢水——來(lái)源顯影、刻蝕、CMP工序，處理方法為CaCl2沉淀法 酸堿廢水——來(lái)源清洗工序，處理方法為中和法

純水制備再生廢水——來(lái)源活性炭或樹(shù)脂及沖洗水，處理方法為中和法洗淶塔廢水——來(lái)源酸、堿噴淋，處理方法為中和法研磨廢水一來(lái)源研磨工序，采用沉淀法處理 生活污水一一生化法處理 (3 )固體廢物

危險(xiǎn)廢物一疏酸廢渣、磷酸廢渣、顯影廢液、異丙醇廢液、硫酸銨廢液、廢有機(jī)

溶劑、廢光刻膠、污水處理站污泥

一般固體廢物廢金屬、廢玻璃、廢塑料(有機(jī)溶劑容器除外)、廢芯片、可回收包裝材料

生活垃圾

3.清潔生產(chǎn)

目前，國(guó)家公布的清潔生產(chǎn)名錄中，尚無(wú)集成電路的相關(guān)內(nèi)容。環(huán)評(píng)中應(yīng)在國(guó)內(nèi)外類比調(diào)查基礎(chǔ)上從生產(chǎn)工藝、原材料、能源消耗等方面論證，用單位產(chǎn)品的物耗、能耗、 水耗，污染物產(chǎn)生量和排放量指標(biāo)量化分析。在原料清潔性評(píng)價(jià)中以下化學(xué)品應(yīng)不使用 或盡量少使用：①含氯的有機(jī)溶劑②氟氯烴③高毒化學(xué)品。

以下幾個(gè)指標(biāo)應(yīng)在環(huán)評(píng)中關(guān)注：

單位產(chǎn)品的原輔材料使用量 酸、硝酸、疏酸、鹽酸、氫氟酸、氫氧化銨、光

刻膠、顯影劑、丙酮、異丙醇。

單位產(chǎn)品的物耗、能耗指標(biāo)一新鮮水、高純水、電、大宗工藝氣體、壓縮空氣、 蒸汽、冷量

單位產(chǎn)品污染物產(chǎn)生量和排放量——氟化物、HC1、硫酸霧、Cl2、硝酸霧、SiH4、 磷酸霧、PH3、AsH3、VOCs、COD, NH3—N、SS、F-、AOX、砷、硼、鎢

三、環(huán)境現(xiàn)狀調(diào)查與評(píng)價(jià)

芯片生產(chǎn)使用的化學(xué)原料種類多，新鮮水用量大，揮發(fā)性有機(jī)氣體和有機(jī)氟化物對(duì)環(huán)境空氣、地下水和土壤環(huán)境存在著潛在污染的可能。本項(xiàng)目生產(chǎn)用熱供應(yīng)有兩種方式， 其一由區(qū)域集中供熱，其二為自建熱電站，后者使用的燃料為燃料油或燃料氣。芯片項(xiàng) 目廢水排放量很大，因此受納水體多為大江、大河，或者由所在地區(qū)污水處理廠接納。

環(huán)境現(xiàn)狀調(diào)查范圍應(yīng)在確定的評(píng)價(jià)等級(jí)所需的評(píng)價(jià)范圍基礎(chǔ)上適當(dāng)調(diào)整，該項(xiàng)目環(huán)境 空氣評(píng)價(jià)范圍應(yīng)增加評(píng)價(jià)范圍以外的風(fēng)景區(qū)、集中居民區(qū)等敏感點(diǎn)，地表水評(píng)價(jià)范圍應(yīng)根據(jù)導(dǎo)則中關(guān)于評(píng)價(jià)等級(jí)調(diào)整的說(shuō)明擴(kuò)大評(píng)價(jià)范圍，另外應(yīng)監(jiān)測(cè)地下水和土壤環(huán)境質(zhì)量。

環(huán)境質(zhì)量監(jiān)測(cè)除例行項(xiàng)目還應(yīng)監(jiān)測(cè)特征污染物。

芯片生產(chǎn)排放的特征污染物中有一些沒(méi)有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)參考國(guó)外的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，報(bào)請(qǐng) 當(dāng)?shù)丨h(huán)保主管部門批復(fù)后進(jìn)行評(píng)價(jià)。

四、評(píng)價(jià)因子確定和預(yù)測(cè)方法

1.評(píng)價(jià)因子

廢氣污染物控制因子和環(huán)境空氣評(píng)價(jià)因子：S02、N02、PM10, NH3、氟化物、HC1、 Cl2、硫酸霧、非曱烷總烴

廢水污染物控制因子和地表水評(píng)價(jià)因子：pH、CODCr, NH3-N, F一、COD5、TOC、

AOX

地下水評(píng)價(jià)因子：pH、高錳酸鹽指數(shù)、硫酸鹽、氯化物、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氨氮、 氟化物

土壤評(píng)價(jià)因子：Cd、Hg、As、Cu、Pb、Cr、Zn

聲環(huán)境：Leq(A)

工業(yè)固體廢物：新化學(xué)品廢物(HW14),含砷廢物(HW24)、廢酸(HW34)、 有機(jī)嶙化合物廢物(HW37)、廢有機(jī)溶劑(HW42)

中芯國(guó)際北京有限公司項(xiàng)目由北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)熱力廠提供蒸汽、開(kāi)發(fā)區(qū)污水處 理廠接納項(xiàng)目排水，可適當(dāng)調(diào)整監(jiān)測(cè)項(xiàng)目，地下水和土壤中監(jiān)測(cè)硼、鎢項(xiàng)目沒(méi)有普遍性。

2.預(yù)測(cè)方法

芯片生產(chǎn)污染物對(duì)環(huán)境影響預(yù)測(cè)可以采用導(dǎo)則中推薦的模式，評(píng)價(jià)中要注意眾多排 氣筒的集合影響和集中污水處理廠接納項(xiàng)目排水條件下可以只做達(dá)到污水處理廠進(jìn)水標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)。

五、環(huán)境保護(hù)措施分析

該工程采用的環(huán)保措施基本可行，可使廢氣、廢水污染物滿足達(dá)標(biāo)排放要求，固體 廢物和廢液處置方案也符合一般廢物和危險(xiǎn)廢物污染控制標(biāo)準(zhǔn)要求。

此類項(xiàng)目廢氣和廢水中的污染物成分復(fù)雜、特殊，環(huán)保治理措施必須注意收集所有 污染物，有針對(duì)性處理，而且應(yīng)進(jìn)行環(huán)保措施的技術(shù)經(jīng)濟(jì)論證，并按環(huán)保設(shè)施逐項(xiàng)明確投資，說(shuō)明環(huán)境經(jīng)濟(jì)效益。

六、環(huán)境可行性分析

1. 芯片項(xiàng)目用水量大，在水資源相對(duì)緊張地區(qū)發(fā)展該類項(xiàng)目需慎重。另一方面達(dá) 標(biāo)排放的廢水中污染物濃度不高，雖回用于用水水質(zhì)要求高的芯片生產(chǎn)比較困難，但可用于對(duì)水質(zhì)要求不是很高的行業(yè)，例如冶金、機(jī)械制造等。作為生產(chǎn)用水，從區(qū)域角度 實(shí)現(xiàn)節(jié)約用水是可行的。

該案例中分析了取水保證性，并進(jìn)行了節(jié)水論證，對(duì)于建在開(kāi)發(fā)區(qū)的項(xiàng)目還應(yīng)論證 開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)水綜合利用途徑。

2. 本工程屬高科技項(xiàng)目，位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)，符合北京市城市總體規(guī)劃要求，但由于開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)新建立一些居民區(qū)，有的距中芯公司很近，制約了公司的再發(fā)展。

3. 生產(chǎn)中使用大量化學(xué)危險(xiǎn)品，存在偶發(fā)事故引起的環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)，合理確定庫(kù)存量， 化工倉(cāng)庫(kù)采用完善的安全制度是必需的。

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