2.總平面布置

廠區(qū)總平面效果圖見圖1。

二、環(huán)境概況

1. 地理位置

廠址位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)(BDA) 41、47號地塊，征地面積240 030 m2， 其中41號地塊面積136 754 m2、47號地塊面積103 276 m2，見圖2。

2. 環(huán)境質(zhì)量

本項目對芯片加工類的特征空氣污染物、地下水特征污染物和土壤特征污染物 進(jìn)行了監(jiān)測。環(huán)境空氣監(jiān)測了氟化物、氯化氫、氨氣、氯氣、硫酸霧、非甲烷總烴共6項;地下水環(huán)境監(jiān)測，W、B共2項;土壤監(jiān)測了砷(As)、硼(B)、氟(F) 和鎢(W)共4項。通過監(jiān)測結(jié)果可以看出環(huán)境本底較好，沒有超標(biāo)的污染項。

3. 廠址選擇合理性分析

由于中國與發(fā)達(dá)國家相比，在關(guān)鍵技術(shù)如軟件、集成電路和新型元器件等方面 相對落后，CPU芯片和存儲器的設(shè)計與制造能力薄弱，電訊、通訊市場將是首先受到入關(guān)沖擊的領(lǐng)域之一。因此，我國的信息產(chǎn)業(yè)政策中有很重要的一條，就是中國 鼓勵外資進(jìn)入信息產(chǎn)業(yè)，希望信息產(chǎn)業(yè)的外商投資企業(yè)進(jìn)一步提高技術(shù)檔次，擴(kuò)大 投資規(guī)模。深亞微米工藝技術(shù)已是國際上的主流生產(chǎn)技術(shù)，本項目的實施可以推廣

在國內(nèi)微電子技術(shù)的升級發(fā)展，提高電子產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)，并會促進(jìn)我國集成電路 產(chǎn)業(yè)走向國際。因此，該項目的性質(zhì)完全符合國家信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和政策。本項 目為高科技、高附加值的集成電路行業(yè)，項目地址位于北京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)。在北京市“十五”時期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)布局調(diào)整目標(biāo)中明確指出：“北京經(jīng)濟(jì)技 術(shù)開發(fā)區(qū)：建設(shè)成北京現(xiàn)代制造業(yè)的窗口基地”，該項目的選址符合北京市“十五” 時期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)布局，與加速發(fā)展高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向高度是一致的。根據(jù)本項目的規(guī)模，可以確信，本項目是實現(xiàn)北京市“十五”時期工業(yè)發(fā)展規(guī)劃的 極其重要的項目之一。

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圖2評價范圍及周邊環(huán)境關(guān)系

三、工程分析

(一)工藝流程

1.工藝技術(shù)方案的確定

本項目的技術(shù)發(fā)展和集成電路制造的重點將以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS) 工藝為主。芯片生產(chǎn)工序主要有外購硅片清洗、氧化(Si + 02—Si02)、光刻、蝕刻、 擴(kuò)散、離子植入、化學(xué)氣相沉積、金屬化、后加工等九部分。

全廠生產(chǎn)總流程圖見圖3,圖中展示了所有生產(chǎn)廠房的功能(工藝生產(chǎn)區(qū)域、 支持區(qū)域)和相互之間的原則關(guān)系。在生產(chǎn)廠房中的工藝生產(chǎn)區(qū)域中，產(chǎn)品在通過產(chǎn)品質(zhì)量檢測流至支持區(qū)域后道工序前，某些工藝步驟將被重復(fù)多次。

2.生產(chǎn)流程及排污節(jié)點分析

生產(chǎn)工藝流程和“三廢”排放節(jié)點示意圖，見圖4。